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AVX钽电容的频率特性分析


 每种电容都有其特有的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢,AVX钽电容随着频率的增加有效的电容值减小,直到共振达到。
  除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz 的电容继续下降。下面以AVX 贴片钽电容E型的220UF 10V 规格为例,来说明钽电容的频率特性AVX 钽电容温度特性曲线。

钽电容的频率特性
  在介绍AVX 钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识:
  额定容量(CR)
  这是额定电容。对于钽OxiCap?电容器的电容测量是在25° C 时等效串联电路使用测量电桥提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号,谐波与2.2Vd.c.
  电容公差
  这是实际值的允许偏差电容额定值。
  AVX 钽电容的温度特征。
  钽电容器的电容随温度变化而发生变化。这种变化本身就是一个小的程度上依赖额定电压和电容的大小。从下面的温度曲线图上可以看出在工作温度范围内,钽电容和铌电容的容量会随着温度的上升而上升。
AVX 钽电容的温度特征
  损耗角正切(TAN)。
  这是一个在电容器的能量损耗的测量。它表示,为棕褐色,是电容器的功率损耗其无功功率分为一组指定的正弦电压频率。也用的术语是功率因数,损耗因子和介电损耗。 COS(90 - )是真正的功率因数。 “使用测量进行测量谭桥梁,提供一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号。
  耗散与温度的关系
  耗散系数随温度变化的典型曲线表演。这些地块是钽和OxiCap 相同电容器。
  耗散因数测量的切线损耗角(TAN),以百分比表示。测量DF 是开展测量桥梁供应一个0.5V RMS120Hz 的正弦信号,免费谐波与偏见2.2Vdc. DF 值是温度和频率依赖性。注意:对于表面贴装产品所允许的最大DF 值表示的收视率表是很重要请注意,这些限额会见了由组件后基板上焊接。
  耗散因数的频率依赖性
  随着频率的增加损耗因数所示钽和OxiCap 庐电容器的典型曲线相同的AVX 钽电容的阻抗(Z)。
  这是电流电压的比值,在指定的频率。三个因素促成了钽电容器的阻抗;半导体层的电阻电容价值和电极和引线电感。在高频率导致的电感成为一个限制因素。温度和频率的行为确定这三个因素的阻抗行为阻抗Z.阻抗是在25° C 和100kHz.


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