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关于钽电容的放电时间问题

2020-06-16 14:05:58 sont

 "    去耦钽电容主要是去除高频如RF信号的干扰,干扰的进入方式是通过电磁辐射。而实际上,芯片附近的电容还有蓄能的作设,V0 为钽电容上的初始电压值;V1 为钽电容最终可充到或放到的电压值;Vt 为t时刻钽电容上的电压值。
则,
    Vt="V0"+(V1-V0)* [1-exp(-t/RC)]
或,
    t = RC*Ln[(V1-V0)/(V1-Vt)]

例如,电压为E的电池通过R向初值为0的钽电容C充电V0=0,V1=E,故充到t时刻电容上的电压为:
    Vt="E"*[1-exp(-t/RC)]

再如,初始电压为E的电容C通过R放电
V0=E,V1=0,故放到t时刻电容上的电压为:
    Vt="E"*exp(-t/RC)

又如,初值为1/3Vcc的钽电容C通过R充电,充电终值为Vcc,问充到2/3Vcc需要的时间是多少?
V0=Vcc/3,V1=Vcc,Vt=2*Vcc/3,

    t="RC"*Ln[(1-1/3)/(1-2/3)]=RC*Ln2
     =0.693RC

注:以上exp()表示以e为底的指数函数;Ln()是e为底的对数函数

本文编辑钽电容生产厂家-松填科技(www.sont.cc)技术部

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