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如何改善KEMET钽电容的漏电流?

2020-04-26 16:19:37 sont

 "    KEMET钽电容的钽芯表面都会覆盖着一层五氧化二钽薄膜的电介质,这层人质是采用阳极化工艺,由厚5nm~10nm的N型氧化钽层和五氧化二钽纯半导体层复合而成。其厚度与阳极化电压成比例,也是决定了KEMET钽电容耐压值的大小。一般来说用于6V电池应用的KEMET钽电容而言,钽电容的五氧化二钽薄膜层厚度为0.04微米或者40纳米。

   超大容量的片式多层陶瓷电容器则采用浇覆厚度为2.0微米的陶瓷电介质薄层的方式来制造,这样比钽电容的要厚得多。片式多层陶瓷电容器采用层叠工艺,最终制造出多层电容。与钽电容一样,片式多层陶瓷电容器的电介质层厚度决定了额定电压,电介质层数决定了容量。介电常数的差异导致了IR的巨大差别。

   KEMET钽电容的漏电流会因为正极表面的机械损坏或者氧化层表面的破裂而上升。正极的外表面属于易损部分,受到热、机械和电气作用的共同影响。表面漏电流会受湿度的影响,并导致长时间工作的不稳定。

   改进钽芯的生产工艺,更好地控制氧化物层的厚度,可以帮助消除钽电容表面漏电流问题。在钽芯的外表面生成较厚的电介质薄膜,防止其受到机械损坏,从而大幅改善漏电流性能,降低漏电流.除了改进钽电容的正极结构,与聚合物负极结构相比,钽电容的二氧化锰负极结构具有更为优异的漏电流性能,因该材料有更好的导电性。

钽电容

   上图显示了采用这种新技术制造而具有出色漏电流性能的新型MAP 0603封装。结合对钽芯的改进,最新 MAP 系列钽封装能够改善装配、封装和端接工艺,避免机械损坏,提升电容的体积效率。

本文编辑国产钽电容生产厂家-松填科技(www.sont.cc)技术部

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