技术资料

  • 国产贴片钽电容和KEMET钽电容是不是都有漏电流?

    " 额定直流工作电压通过钽电容时观察到充电电流的变化刚开始的时候很大,随着时间推移而下降,到某一终值时达到较稳定状态这一终值电流称为漏电流。其计算公式为:i=kcu(μa);其中k值为漏电流常数,单位为μa(v·μf)。 很多工程师在使用国产钽电容生产厂家生产的贴生钽电容说有漏电流导致产品出现这样那样的问题,那K

    2020-04-23 sont

  • 钽电容的工作温度范围

    "电子元件一直以来对工作环境中的温度和湿度比较敏感,为了保证他们能够正常工作,我们必须在电路设计时考虑到产品的正常情况下的温度变化情况,以保证产品的稳定。SONT作为国内专业的钽电容生产厂家,下面给大家介绍一下关于钽电容 1、钽电容工作时的温度限制范围钽电容的温度范围是上限和下限之间的温度环境范围,在其内钽电容根据它的气候类别工作。钽电容的温度范围在- 55℃和+125℃之间。在55~+

    2020-04-22 sont

  • 贴片钽电容失效原因分析(二)

    "在上一节“贴片钽电容失效原因分析(一)”中我们分析了几点钽电容失效爆炸的原因,接下来我们接着分析一下钽电容失效导致爆炸的原因。1、贴片钽电容漏电流过大导致实际耐压不够贴片电容器上长时间施加一定强度的电流时,如果其介质层的绝缘电阻偏低,此时产品的实际漏电流就会偏大,而漏电流偏大的产品,实际耐压就会下降。导致贴片钽电容的实际耐压不够。出现此问题的另外

    2020-04-21 sont

  • 电容ESR的意义 ESR缘何重要?

    首先来说ESR。ESR是高频电解电容里面最重要的性能参数,很多电子元器件都强调“LOW ESR”这一性能特征,也就是ESR值很小的意思。那么,我们如何正确理解LOW ESR的实际意义呢?由于现在电子技术的发展,供应给硬件的电压正呈现越来越低的趋势,例如INTEL、AMD的最新款CPU,电压均小于2V,相比以前动辄3、4V的电压要低得多。但是,另一方面这些芯片由于晶体管和频率爆增,需求的功耗却是有

    2020-04-15 sont

  • 片式钽电容器和片式多层陶瓷电容器的比较

    片式钽电容器和片式多层陶瓷电容器的比较 摘要:本文从片式多层陶瓷电容器的结构及失效模式出发,说明了大容量片式多层陶瓷 电容器在高可靠设备使用的局限性,阐明了二者不能简单的替代。 关键词:片式多层陶瓷电容器,失效模式,替代。 随着片式多层陶瓷电容器(以下简称 MLCC)多层介质叠层技术的发展,其电容量不断 增大,目前,日本公司已经能够生产单层介质厚度为 1μ m、叠层最多达 1000 层,06

    2020-04-14 sont

  • 有极性电容和无极性电容的区别

    作为国产钽电容生产厂家,今天我们来讲讲有极性电容与无极性电容的各种区别和相同点,当然钽电容也是有极性电容中的一种1、原理上相同。 (1)都是存储电荷和释放电荷; (2)极板上的电压(这里把电荷积累的电动势叫电压)不能突变。 (3)区别在于介质的不同、性能不同、容量不同、结构不同致使用环境和用途也不同。反过来讲,人们根据生产实践需要,实验制造了各种功能的电容器来满足各种电器的正常运行和新设备的运转。

    2020-04-14 sont

  • AVX钽电容的频率特性分析

    每种电容都有其特有的频率特性,那么AVX钽电容的频率特性是怎么样的呢,AVX钽电容随着频率的增加有效的电容值减小,直到共振达到。 除了共振频率的设备变得感性。除了100kHz 的电容继续下降。下面以AVX 贴片钽电容E型的220UF 10V 规格为例,来说明钽电容的频率特性AVX 钽电容温度特性曲线。钽电容的频率特性  在介绍AVX 钽电容的温度特性曲线前,我们必需对以下两个基本概念有所认识: 

    2020-04-14 sont

  • 关于钽电容在使用过程中的降压问题

    值得我们关注的是钽电容使用中的压降问题,在此我们以AVX 贴片钽电容的TAJ 系列为例,进行说明如下:  1. 钽电容的浪涌电压  钽电容的浪涌电压是指电容在很短的时间经过最小的串联电阻的电路33Ohms(CECC 国家1KΩ)能承受的最高电压。浪涌电压,常温下一个小时时间内可达到高达10 倍额度电压并高达30 秒的时间。浪涌电压只作为参考参数,不能用作电路设计的依据,在正常运行过程中,电容应定期

    2020-04-14 sont

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