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关于采用不同技术制造的钽电容器的故障模式(总结)

2022-07-15 14:40:40 sont 2515
根据 V-A 涵数, 采用MnO2 /二氧化锰或 导电聚合物制造的固体钽电容器可被当作一种 MIS (金属-氧化物-半导体)二级管,并且其反模 式与正向作业的 MIS 二级管一致。
如采用 MnO2 /二氧化锰作为负极材料, 在正常模式下的热击穿会因能量损耗而伴随电 击穿。然而,在反模式下,焦耳热会产生电导 的增加,而导致击穿发生。正反馈循环然后发 生:温度-电导-焦耳热-温度升高。
在另一方面,导电聚合物电容器的V-A 涵数,具有第一部分,低密度区域,被描述为 正方律关系(曲线)。其与电流注入绝缘层 (陷阱-嵌层-极限)关连。由于空间电荷的统 一陷阱分布对电流注入的限制,最终伴随二次 方关系(曲线)。
在 25 – 35V(三倍额定电压)测试电压 条件下引发的MnO2 /二氧化锰电容器的电击穿 导电聚合物介子层击穿出现在较低电压 10 – 20V (一至两倍于额定电压)。
在电击穿实验中,MnO2 /二氧化锰部件 被证明比经过实验的任何一种导电聚合物技术 具有更强的自愈能力。在测试中,未发现足够 的自愈过程来支持导电聚合物材料具有自愈能 力的论点。为了解导电聚合物材料的物理特性 和潜在用途,还需要做进一步的工作。


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