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![全自动钽电容检测系统的介绍]()
全自动钽电容检测系统的介绍
一、钽电容自动测试系统的硬件系统组成 钽电容自动测试系统是一种基于GPIB总线的自动测试系统，包括GPIB总线和带有GPIB接口的可程控仪器。它是由插有PCI GPIB总线控制接口板的PC机(以下简称GPIB控制器)5部份组成。1、可程控漏电流测试仪2、可程控多路开关3、LCR测量仪4、被测件箱5、打印机 由于近年来PC机发展很快，主板不再装有ISA插槽，因此本系统GPIB控制器的特
2020-04-30 sont 2685
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![KEMET钽电容,铝电解电容,瓷片电容知多少！]()
KEMET钽电容,铝电解电容,瓷片电容知多少！
铝电解电容，瓷片电容和KEMET钽电容，是我们比较常用的三种电容器，下面我们一起来了解一下吧。一、KEMET钽电容无论是原理和结构都像一个电池。下面是KEMET钽电容的内部结构示意图： KEMET钽电容拥有体积小、容量大、速度快、ESR低等优势，价格也比较高。决定KEMET钽电容容量和耐压的是原材料钽粉颗粒的大小。颗粒越细可以得到越大的电容，而如果想得到较大的KEMET钽电容耐压就需要较
2020-04-28 sont 2691
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![KEMET钽电容几项数值的解释]()
KEMET钽电容几项数值的解释
在钽电容的选购或钽电容选型时我们经常会看到一些数值，这些数值都代表什么呢？一、KEMET钽电容耐压(UR): 在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下，可以连续施加在KEMET钽电容上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高电压场和 时，必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质 /电极层之间存在空隙而产生的，它除了可以产生损坏设备的寄生信号外，还会导致电容器介质击穿。
2020-04-28 sont 2702
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![如何改善KEMET钽电容的漏电流？]()
如何改善KEMET钽电容的漏电流？
" KEMET钽电容的钽芯表面都会覆盖着一层五氧化二钽薄膜的电介质，这层人质是采用阳极化工艺，由厚5nm~10nm的N型氧化钽层和五氧化二钽纯半导体层复合而成。其厚度与阳极化电压成比例，也是决定了KEMET钽电容耐压值的大小。一般来说用于6V电池应用的KEMET钽电容而言，钽电容的五氧化二钽薄膜层厚度为0.04微米或者40纳米。 超大容量的片式多层陶瓷电容器则采用浇覆厚度为2
2020-04-26 sont 2788
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![国产贴片钽电容和KEMET钽电容是不是都有漏电流？]()
国产贴片钽电容和KEMET钽电容是不是都有漏电流？
" 额定直流工作电压通过钽电容时观察到充电电流的变化刚开始的时候很大，随着时间推移而下降，到某一终值时达到较稳定状态这一终值电流称为漏电流。其计算公式为：i=kcu(μa)；其中k值为漏电流常数，单位为μa(v·μf)。 很多工程师在使用国产钽电容生产厂家生产的贴生钽电容说有漏电流导致产品出现这样那样的问题，那K
2020-04-23 sont 2687
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![钽电容的工作温度范围]()
钽电容的工作温度范围
"电子元件一直以来对工作环境中的温度和湿度比较敏感，为了保证他们能够正常工作，我们必须在电路设计时考虑到产品的正常情况下的温度变化情况，以保证产品的稳定。SONT作为国内专业的钽电容生产厂家，下面给大家介绍一下关于钽电容 1、钽电容工作时的温度限制范围钽电容的温度范围是上限和下限之间的温度环境范围，在其内钽电容根据它的气候类别工作。钽电容的温度范围在- 55℃和+125℃之间。在55～+
2020-04-22 sont 2785
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![贴片钽电容失效原因分析(二)]()
贴片钽电容失效原因分析(二)
"在上一节“贴片钽电容失效原因分析(一)”中我们分析了几点钽电容失效爆炸的原因，接下来我们接着分析一下钽电容失效导致爆炸的原因。1、贴片钽电容漏电流过大导致实际耐压不够贴片电容器上长时间施加一定强度的电流时，如果其介质层的绝缘电阻偏低，此时产品的实际漏电流就会偏大，而漏电流偏大的产品，实际耐压就会下降。导致贴片钽电容的实际耐压不够。出现此问题的另外
2020-04-21 sont 2962
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![片式钽电容器和片式多层陶瓷电容器的比较]()
片式钽电容器和片式多层陶瓷电容器的比较
片式钽电容器和片式多层陶瓷电容器的比较 摘要：本文从片式多层陶瓷电容器的结构及失效模式出发，说明了大容量片式多层陶瓷 电容器在高可靠设备使用的局限性，阐明了二者不能简单的替代。 关键词：片式多层陶瓷电容器，失效模式，替代。 随着片式多层陶瓷电容器（以下简称 MLCC）多层介质叠层技术的发展，其电容量不断 增大，目前，日本公司已经能够生产单层介质厚度为 1μ m、叠层最多达 1000 层，06
2020-04-14 sont 2795
