技术资料

  • 用不同技术制造的钽电容器的故障模式

    我们对于介质击穿的研究意在找出可 以对这种现象加以描述的基本参数系列,及其 与最终产品的质量和可靠性之间的关系。基本 上,介质击穿可由一系列的物理过程产生:焦 耳热引起电导增加,从而导致热击穿;雪崩击 穿和场致发射击穿;两电极之间的引力,电化 学衰变,枝状结晶组织等原因导致的机电崩塌 等等。介质击穿导致绝缘体和两极的击毁,主 要由于熔化和蒸发和有时随后发生热逃逸。为 掌握钽MIS(金属-绝缘体-半

    2020-04-13 sont 2806

  • 如何用万用表测试三极管?

    用指针式万用表检测 用指针式万用表的R×1K挡分别做三极管测试三个电极中每两个极之间的正反向电阻值。当用一个表笔接某一电极,而另一个表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极B,黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极B,红表笔分别接触其他两极时,没得的

    2020-04-13 sont 2828

  • 如何用万用表测试三极管?

    用指针式万用表检测 用指针式万用表的R×1K挡分别做三极管测试三个电极中每两个极之间的正反向电阻值。当用一个表笔接某一电极,而另一个表笔先后接触另外两个电极均测得低阻值时,则第一根表笔所接的那个电极即为基极。这时,要注意万用表表笔的极性,如果红表笔接的是基极B,黑表笔分别接在其他两极时,测得的阻值都较小,则可判定被测三极管为PNP型管;如果黑表笔接的是基极B,红表笔分别接触其他两极时,没得的

    2020-04-13 sont 2811

  • 关于采用不同技术制造的钽电容器的故障模式相关试验(二)

    热击穿 在正常工作模式下的受控制热击穿会 对薄弱点增加自愈修复的机会,并减少局部疵 点区的生成。 另一方面, 非控制下的热击穿会造成短 路, 导致热逃逸而彻底摧毁电容器。图2. IR (红外)摄影机监视下的自愈过程。在反模式下, V-A 涵数 会按指数达到最大 的电压,在该点其进入负阻区间。 我们的实验显示, 对于小串联电阻 (~10 �6�8) , 电压接近 VTB,时,热击穿和电流流动会使装置

    2020-04-13 sont 2823

  • 关于采用不同技术制造的钽电容器的故障模式相关试验(一)

    击穿过程的识别,无论是热击穿或是电 击穿都可由 V-A (电压/电流) 涵数加以在时域 内的测量确定出。[2], 在如上定义的正常模式 和反的模式条件下。在这些实验里,装置必须 与电源和一系列电阻力小于装置电阻的电阻连 接在一起。这些电阻经过实验性地选择,以防 止被连续击穿和击毁,范围从 10Ω 至 1MΩ.之 间。 击穿试验用于分析二氧化锰 MnO2 和导 电聚合物技术的自愈过程。采用逐渐增加电

    2020-04-13 sont 2770

  • 电子元器件之平面变压器

    平面变压器,采用了新一代设计和制造技术,该技术利用扁平的铜片作为变压器各绕组的导体,并将绕组封装为一个整体,以此制造的平面变压器相比传统的绕线变压器具有体积小,重量轻,散热好,功率密度大,外形简洁,尺寸统一,可靠性高等优点,一体化的绕组,有利于增大导体截面积,提供占铜系数,降低铜损耗,也容易实现绕组间的高压绝缘,降低热阻,抗机械振动强,更好的满足了高可靠平面变压器的技术要求,。 新的平面变压器技术

    2020-04-13 sont 2825

  • AVX钽电容是哪个国家的?

    AVX钽电容是哪个国家的呢,首先我们来看百度百科对AVX公司的介绍:AVX公司专业从事无源电子元器件和互连接产品的设计、开发、生产和销售,是该行业的佼佼者.产品种类繁多,销往世界各地的电子市场.1984 年,AVX公司亚洲公司成立于香港.1986年,在新加坡开展了生产业务.1987年,在台湾和韩国设立了销售分公司.1990 年,AVX 公司跨出了战略联盟的重要一步,即与日本 Kyocera

    2019-01-18 松填科技 3210

  • KEMET、AVX等进口钽电容标识

    "KEMET钽电容、AVX钽电容等进口电容器的标识一般包括以下6项内容:1、用字母表示类别:2、用两位数字表示其外形、结构、封装方式、引线开始及与轴的关系。3、温度补偿型电容器的温度特性,有用字母的,也有用颜色的,其意义如下表所示:表1 KEMET钽电容代码表2 KEMET钽电容偏差值4、用数字和字母表示耐压,字母代表有效数值,数字代表被乘数的10的幂。5、标称容量,用三位数字表示,前两

    2012-03-28 sont 2900

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